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通过将遗传算法和模拟退火算法相结合得到了改进的遗传算法，这种改进的遗传算法可用于提取SOI MOSFET模型参数，用这种方法提取了基于中国科学院微电子研究所开发的标准的1．2μm CMOS／SOI工艺的SOI MOSFET模型参数，用此模型模拟的数据与测试数据吻合很好，与商业软件相比精度得到了明显的提高，这种方法与商业软件使用的传统的方法相比，不需要对SOI MOSFET模型有非常深入的了解，也不需要复杂的计算，更深入的验证表明，该模型适用的器件尺寸范围很广。