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采用脉冲激光沉积（PLD）方法在单晶Si（100）衬底上制备Zn1-xMgxO（x=0．075，0．15，0．35，0．65）薄膜，研究了不同Mg含量掺杂、氧压、退火温度对其磁性的影响。分析表明，Mg掺杂量会影响薄膜中的缺陷浓度，进而影响缺陷周围离子中的自旋极化效应，对薄膜磁性产生影响。氧压的增大会使Zn0．925Mg0.075O薄膜中锌位氧（Ozn）缺陷浓度增大，但是，缺陷浓度过大又会使薄膜中出现缺陷对，这些影响使薄膜磁性随氧压的增大先增大后减小。而后续退火会影响薄膜结晶质量和缺陷浓度，也会对薄膜磁性产