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利用有限元法对勾形磁场环境下硅单品Czochralski生长时炉内的传递过程进行了全局数值模拟，磁场强度范围为（0-2．0）T。结果表明：勾形磁场可有效抑制熔体内的流动；随着磁场强度增加，熔体内对流逐渐减弱，加热器功率增大，结晶界面温度梯度在磁场强度为0．05T时略有降低，之后增加；结晶界面形状在磁场强度为0．05T和0．1T时向熔体侧弯曲，之后随磁场的增加，变得平坦；同时，熔体内的传质机制逐渐转为以扩散为主；结晶界面平均氧浓度随磁场强度的增加而逐渐降低，当磁场强度高于1．0T时，结晶界面氧浓度会略有上升