【摘 要】
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基于第一性原理计算方法,通过密度泛函理论(DFT)和广义梯度近似(GGA)对本征及含有缺陷的石墨烯超晶胞进行了电子结构的计算,研究了多种缺陷对石墨烯电子结构的影响。研究发现
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基于第一性原理计算方法,通过密度泛函理论(DFT)和广义梯度近似(GGA)对本征及含有缺陷的石墨烯超晶胞进行了电子结构的计算,研究了多种缺陷对石墨烯电子结构的影响。研究发现,多种缺陷均使石墨烯能带在费米能级附近出现缺陷态对应的能带,并导致其能隙有不同程度的增大,而且与之对应的态密度也随之发生相应的变化。其中,Stone-Wales缺陷使石墨烯带隙由0 eV增至0.637 eV,单空位缺陷使带隙由0 eV增至1.591 eV,双空位缺陷使带隙由0 eV增至1.207 eV。
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