【摘 要】
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利用二次氧化法制备了多孔阳极氧化铝（AAO）模板,通过恒电位沉积法在模板内组装了Ni纳米线阵列。采用SEM、TEM、SAED、EDS和VSM等检测技术对填孔过程、阵列形貌、结构和磁性能进
【机 构】
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北京中医药大学中药学院,天津大学化工学院
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（61240009）
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利用二次氧化法制备了多孔阳极氧化铝（AAO）模板,通过恒电位沉积法在模板内组装了Ni纳米线阵列。采用SEM、TEM、SAED、EDS和VSM等检测技术对填孔过程、阵列形貌、结构和磁性能进行了分析和表征。结果表明,Ni纳米线在纳米孔中的生长过程经历四个阶段,填孔终止时间控制在第三阶段。适宜AAO模板中Ni纳米线沉积的电位为-0.9 V,pH为3.5。Ni纳米线是沿着（111）方向生长的单晶结构。当外磁场平行或垂直Ni纳米线阵列时,在磁场强度周期变化下,测量纳米线阵列磁滞现象的闭合磁化曲线,Ni纳米线阵列在平
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