半导体硅表面化学镀铜

来源 :电镀与涂饰 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yellowerriver

【摘要】

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介绍了以次磷酸钠为还原荆、硫酸镍为再活化剂的半导体N型硅表面化学镀铜工艺及其前处理。探讨了镀液中铜盐含量、还原荆含量、pH及温度对沉积速率的影响。确定了化学镀铜最

【作者】

：

王勇张远明陈云飞

【机构】

：

东南大学机械工程系

【出处】

：

电镀与涂饰

【发表日期】

：

2006年2期

【关键词】

：

半导体 N型硅化学镀铜再活化刺沉积速率表面形貌接触电阻 semiconductor N-silicon electroless copperplat

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介绍了以次磷酸钠为还原荆、硫酸镍为再活化剂的半导体N型硅表面化学镀铜工艺及其前处理。探讨了镀液中铜盐含量、还原荆含量、pH及温度对沉积速率的影响。确定了化学镀铜最佳工艺备件：0．15mol／L CuS04·5H20，0．03mol／L NiSO4·6H2O．0．75mol／LNaH2PO2·H2O．0．08mol／L Na3C6H5O7·H2O，0．5mol／L H3BO3，〈0．2mg／L 硫脲．60-65℃，pH12．0-12．5。采用扫描电镜及能谱仪分别对镀覆

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