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采用响应面法（RSM）对影响干酪乳杆菌LC2W合成胞外多糖的培养条件进行了优化。以胞外多糖产量为指标，通过单因素试验初步得到干酪乳杆菌LC2W合成胞外多糖的培养条件，再根据Box--Benhnken中心组合实验设计原理，在单因素试验基础上采用3因素3水平的响应面分析法，建立了胞外多糖产量与各影响因子的回归方程，并得到以胞外多糖产量为响应值的响应面图和等高线图，进而得出干酪乳杆菌LC2W合成胞外多糖的优化培养条件：接种量4％，发酵温度31．5℃，发酵时间32h。验证试验结果表明，在此条件下胞外多糖的产量可达