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采用转移矩阵的方法研究了含单负材料的一维光子晶体中掺入双层正常材料杂质时杂质模频率的变化问题．研究结果表明，杂质模频率与晶格常量的标度无关，且对晶格常量的涨落很不敏感．同时，通过增加杂质层厚度及层数发现，杂质模频率随之减小，而它的变化率随之增加，且杂质模消失在低频带边的速度会越来越快．
含单负材料的一维光子晶体的杂质模
【摘 要】
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采用转移矩阵的方法研究了含单负材料的一维光子晶体中掺入双层正常材料杂质时杂质模频率的变化问题．研究结果表明，杂质模频率与晶格常量的标度无关，且对晶格常量的涨落很不敏感
【机 构】
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山西大同大学固体物理研究所,同济大学波耳固体物理研究所,中国科学院微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
【出 处】
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光子学报
【发表日期】
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2007年12期
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