【摘 要】
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IGBT是一种由MOSFET和双极型晶体管结合而成的达林顿结构,它由MOS栅极控制,因而输入阻抗高;它又具有双极电导调制作用,因而通态电阻小,通态压降低。通过封装能够得到相应的IG
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IGBT是一种由MOSFET和双极型晶体管结合而成的达林顿结构,它由MOS栅极控制,因而输入阻抗高;它又具有双极电导调制作用,因而通态电阻小,通态压降低。通过封装能够得到相应的IGBT功率模块,在各种复杂工况下得到应用,满足电能变换需求。而IGBT能否维持稳定工作,与模块封装可靠性密切相关。因此加强IGBT功率模块封装可靠性分析,以便对模块可靠性进行科学评价,为模块应用提供科学指导。
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