Beryllium Surface Modified by B Ion Implantation

来源 :Journal of Materials Science & Technology | 被引量 : 0次 | 上传用户：HUZHAOHUA333

【摘要】

：

Beryllium is implanted with 100 keV,2×1017 B/cm2 and post-implanted sample isannealed at 650℃ for 1 h.Hardness measurementindicates

【作者】

：

胡仁元杨玉石

【机构】

：

InstituteofLowEnergyPhysicsBeijingNormalUniversity,China,BeijingResearchInstituteofMaterialsandTechn

【出处】

：

Journal of Materials Science & Technology

【发表日期】

：

1989年3期

【关键词】

：

ION IMPLANTATION BERYLLIUM DIFFUSION ion implantation beryllium diffusion

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Beryllium is implanted with 100 keV,2×1017 B/cm2 and post-implanted sample isannealed at 650℃ for 1 h.Hardness measurementindicates that the hardness increases withimplantation and can further be modified

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