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与铁氧化比较,二茂铁高分子磁性材料(OPM)在1000MHz以下,其频率-磁导率(f-μ1)及温度-磁导率(T-μ1)变化不大.研究了金属纤维及碳纤维填充的OPM复合材料及其配位金属(Cu、Co、Ni)类型、屏蔽形式对屏蔽效果(SE)的影响.
屏蔽电磁干扰高分子磁性复合材料的研究
【摘 要】
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与铁氧化比较,二茂铁高分子磁性材料(OPM)在1000MHz以下,其频率-磁导率(f-μ1)及温度-磁导率(T-μ1)变化不大.研究了金属纤维及碳纤维填充的OPM复合材料及其配位金属(Cu、Co
【机 构】
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深圳市康源有机磁业有限公司,四川大学材料科学与工程学院,四川师范大学化学系
【出 处】
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功能材料
【发表日期】
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2002年5期
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