【摘 要】
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采用基于密度泛函理论的紧束缚方法和遗传算法相结合的方法对SixGey(x+y=n,n=2～5)二元团簇的低能稳定结构进行了全局搜索,分析了包含不同原子数目、不同组分团簇的几何构型、
【机 构】
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沈阳理工大学理学院,沈阳110159东北大学材料各向异性与织构教育部重点实验室,沈阳110819;东北大学材料科学与工程学院,沈阳110819;
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采用基于密度泛函理论的紧束缚方法和遗传算法相结合的方法对SixGey(x+y=n,n=2～5)二元团簇的低能稳定结构进行了全局搜索,分析了包含不同原子数目、不同组分团簇的几何构型、原子间交叠电子布居数及可能发生的解离行为.研究表明,包含2～5原子团簇的Si-Si、Ge-Ge和Si-Ge键的成键距离分别为2.18(A) ～ 3.10(A)、2.32(A) ～ 3.64(A)和2.32(A) ～ 3.38 (A);二元团簇的原子数目、组分对原子间键长、键角及Si/Ge原子在团簇中的占位、原子间相互作用有明显影响.通过团簇中各原子的Mülliken总交叠电子布居数分析,发现多数团簇中单独的Ge原子最容易被解离出来,随着团簇包含原子数目增多,出现了多种存在竞争机制的解离方式,可能同时存在解离出Si1 Ge1、Si2 Ge1和Ge原子的情况.
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