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钡钨扩散阴极,尤其是是覆膜钡钨阴极,因为其出色的热电子发射能力以及良好的抗中毒能力,是当前大功率微波器件中应用最为广泛的热电子源。而阴极中毒,即非预期的阴极发射能力降低的现象是微波管生产与使用过程中出现概率最高的可靠性问题。本文主要就普通钡钨阴极及覆膜钡钨阴极的中毒表现进行介绍,并分析其过程,探讨中毒机理。