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研究了脉冲阳极氧化工艺的特性，并利用脉冲阳极氧化工艺制作出激射波长为776nm的宽条形半导体激光器，器件阈值电流为0．35A，斜率效率为1．12W／A，与常规工艺制作的器件相比阈值电流降低了22％，斜率效率提高了18％。
脉冲阳极氧化工艺制作GaAs／AlGaAs宽条形半导体激光器
【摘 要】
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研究了脉冲阳极氧化工艺的特性，并利用脉冲阳极氧化工艺制作出激射波长为776nm的宽条形半导体激光器，器件阈值电流为0．35A，斜率效率为1．12W／A，与常规工艺制作的器件相比阈值电流降低
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,中国科学院研究生院,长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室
【出 处】
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功能材料与器件学报
【发表日期】
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2008年5期
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