Si基热氧化Si1—x—yGexCy薄膜的室温光致发光特性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：gf5ete346v

【摘要】

：

采用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＤ）法在Ｓｉ（１００）衬底上淀积一层厚度约为１７０ｎｍ的富Ｇｅ高Ｃ含量的Ｓｉ、－ｘ－７ＧｅｘＣｙ薄膜，然后将其分别在８００℃和１１００℃下湿氧氧化２０ｍｉｎ。在室温下观测到强烈的光致发光，室温下的光致发光谱（ＰＬ谱）测量显示

【作者】

：

程雪梅刘夏冰

【机构】

：

NanjingUniv

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2000年7期

【关键词】

：

薄膜室温光致发光 SI基 SIGEC Si_(1-x-y)Ge_xC_y thin film wet oxidation room|tempera

【基金项目】

：

国家自然科学重点基金项目 !( 6963 60 4 0 ),,高等学校博士学科点专项科研基金资助项目,,国家攀登计划资助项目

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采用等离子体增强化学气相淀积（ＰＥＣＤ）法在Ｓｉ（１００）衬底上淀积一层厚度约为１７０ｎｍ的富Ｇｅ高Ｃ含量的Ｓｉ、－ｘ－７ＧｅｘＣｙ薄膜，然后将其分别在８００℃和１１００℃下湿氧氧化２０ｍｉｎ。在室温下观测到强烈的光致发光，室温下的光致发光谱（ＰＬ谱）测量显示，８００℃下氧化后的样品在３７０ｎｍ和３９６ｎｍ附近有两个光致发光带，１１００℃下氧化后的样品只在３９６ｎｍ附近有一光致发光带，３９６ｎｍ附

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