【摘 要】
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大规模硅通孔(through-silicon via,TSV)阵列在高频条件下对衬底中横向传播的电磁波产生显著的散射,从而引入电磁干扰、串扰、噪声和其他信号完整性问题。为了解决硅衬底中TS
【机 构】
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北京信息科技大学信息与通信工程学院
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(61674016),国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2015CB057201)
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大规模硅通孔(through-silicon via,TSV)阵列在高频条件下对衬底中横向传播的电磁波产生显著的散射,从而引入电磁干扰、串扰、噪声和其他信号完整性问题。为了解决硅衬底中TSV阵列存在的多重散射问题,先使用Foldy-Lax方程对其进行电磁建模,再利用预处理稀疏矩阵规则网格(preconditioned sparse-matrix canonical-grid,P-SMCG)法求解方程。该方法通过LU分解对近场稀疏矩阵进行预处理,提高计算效率,快速获取TSV阵列散射特性的S参数。与仿真软件和
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