Ar气退火温度对4H-SiC热氧化层致密性影响研究

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【摘要】

：

在Ar气气氛下对热氧化n型4H-SiC生长的SiO 2薄膜进行了1100℃以下不同温度的退火，采用反射式椭圆偏振光谱、红外透射光谱研究了退火温度对SiO 2薄膜致密性的影响。椭偏测试的

【作者】

：

钟志亲孙子茭葛微微郑禄达王姝娅戴丽萍张国俊

【机构】

：

电子科技大学微电子与固体电子学院

【出处】

：

电子科技大学学报

【发表日期】

：

2014年2期

【关键词】

：

4H-SIC 退火温度致密性 SIO2 4H-SiC ameaiing temperature densification＂SiO2

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在Ar气气氛下对热氧化n型4H-SiC生长的SiO 2薄膜进行了1100℃以下不同温度的退火，采用反射式椭圆偏振光谱、红外透射光谱研究了退火温度对SiO 2薄膜致密性的影响。椭偏测试的结果表明，600℃退火后样品具有最大的折射率1.47和最小的厚度84.63 nm。红外研究的结果显示，600℃退火后LO峰强度最强，认为是对应Si-O结构单元浓度最高。Al/SiO 2/SiC MOS结构SiO2的漏电特性研究表明，600℃退火后的SiO2薄膜漏电流相比于其他温度退火的氧化层漏电流小了两个数量级。在外加反向偏

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