论文部分内容阅读
用射频等离子体增强化学气相沉积（RF-PECVD）系统在普通玻璃衬底上制备了氢化非晶硅薄膜（a-Si：H），用改进的快速光热退火炉（RTP）对薄膜进行了低温下的退火处理。借助于扫描电子显微镜（SEM）对薄膜表面形貌的分析得知：本实验在600℃下成功制备了柱状结构多晶硅薄膜；相对来说，550℃退火60s的柱晶效果最好；最大柱晶宽度达到了240nm；结晶次序为从表面到内部。对实验结果进行了解释。