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采用独特的形核-刻蚀-生长-刻蚀-生长…循环沉积工艺,用微波等离子体化学气相沉积(MWPCVD)法制备出了高纯、高度[100]择优取向的金刚石薄膜。SEM和XRD分析表明得到的膜材具有很高的[100]择优取向性;Raman光谱和SEM对照分析证实膜材的金刚石相组成纯净度高,是高纯、高度[100]择优取向的织构金刚石薄膜。暗电流Ⅰ-Ⅴ特性测试结果表明,这种薄膜的电阻率达到10H数量级以上,比常规工艺制备的膜高近两个数量级,是一种性能优良的电子薄膜材料。理论分析表明,薄膜电阻率大幅度提高的原因在于膜层中非金刚