【摘 要】
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伴随着可移动智能设备、云存储和大数据处理的广泛应用,快速发展的信息产业对下一代更快、更节能的半导体材料提出了更高的要求.碳纳米管电子空穴高迁移率与本征半导体结构使
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伴随着可移动智能设备、云存储和大数据处理的广泛应用,快速发展的信息产业对下一代更快、更节能的半导体材料提出了更高的要求.碳纳米管电子空穴高迁移率与本征半导体结构使其具有优异的电学性能,有望取代硅成为下一代碳基集成电路的核心材料.目前制约高性能碳纳米管晶体管规模化应用的关键在于制备大量手性一致、高密度的碳纳米管材料.IBM表示:要想实现下一代基于碳纳米管的高性能电子器件,其半导体纯度应达到99.9999％,密度应达到1 25根每微米,即制备出单一颜色、相同手性的碳纳米管粉体是碳纳米管制备的终极目标.
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