半导体纳米环中激子的磁场效应

来源 :广州大学学报：自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liongliong512

【摘要】

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在有效质量近似下,采用矩阵对角化方法,研究了半导体纳米环中激子的磁场效应.研究发现半导体纳米环中激子的谐振子强度随磁通变化呈现Aharonov-Bohm振荡,振子强度的振幅随纳

【作者】

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解文方

【机构】

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广州大学物理与电子工程学院

【出处】

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广州大学学报：自然科学版

【发表日期】

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2015年1期

【关键词】

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激子量子环半导体 an exciton quantum rings semiconductor

【基金项目】

：

Supported by the National Natural Science Fund of China（ 11074055 ）

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在有效质量近似下,采用矩阵对角化方法,研究了半导体纳米环中激子的磁场效应.研究发现半导体纳米环中激子的谐振子强度随磁通变化呈现Aharonov-Bohm振荡,振子强度的振幅随纳米环的半径增加而减少.讨论了线性、三阶非线性和总光学吸收系数随环半径和磁通的变化关系,结果表示半导体纳米环中激子的光吸收随磁通的变化显示Aharonov-Bohm效应.

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