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衬底触发技术可以大幅度提高大尺寸NMOS器件的ESD级别。将衬底触发技术融合到层叠式NMOS器件中来产生衬底触发层叠式NMOS器件，理论分析结果表明衬底触发技术可以提高混合电压I／O电路中层叠式NMOS器件的ESD稳健性，基于0．35μmCMOS工艺的模拟结果表明应用带有衬底触发技术的层叠式NMOS器件的HBM模型ESD级别提高约60％，这就验证了衬底触发设计对提高混合电压I／O电路的ESD级是有效的。