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研究了复合材料表面CVD SiC涂层的制备工艺,并对涂层的表面致密化性能进行分析.在不同的工艺条件下制备SiC涂层,探讨了温度、载气流速、时间等因素对涂层的影响.利用扫描电镜和X-射线衍射仪,对涂层晶型进行分析,讨论不同条件下SiC的结晶形态,从而得出制备致密涂层的较好工艺.
CVD SiC涂层的致密化工艺研究
【摘 要】
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研究了复合材料表面CVD SiC涂层的制备工艺,并对涂层的表面致密化性能进行分析.在不同的工艺条件下制备SiC涂层,探讨了温度、载气流速、时间等因素对涂层的影响.利用扫描电镜
【机 构】
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国防科技大学航天与材料工程学院
【出 处】
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新技术新工艺
【发表日期】
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2002年12期
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