【摘 要】
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本论文主要探讨SiO2奈米绝缘层对GaAs/Ge异质结构光电特性的影响之研究。本实验主要探讨分为三部分,其一是探讨以射频磁控溅镀技术所成长之砷化镓薄膜磊晶质量及特性分析;其
【基金项目】
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科技部研究计划(MOST103-2221-E-027-029-MY2).
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本论文主要探讨SiO2奈米绝缘层对GaAs/Ge异质结构光电特性的影响之研究。本实验主要探讨分为三部分,其一是探讨以射频磁控溅镀技术所成长之砷化镓薄膜磊晶质量及特性分析;其二为透过薄膜分析GaAs/Ge和GaAs/SiO2/Ge两种异质结构,讨论SiO2厚度变化对组件结构的影响;其三则是探讨GaAs/SiO2/Ge异质结构的光电特性。在GaAs/SiO2/Ge的异质结构中,除了大约在53?的GaAs绕射峰之外,大约在52?则有另一个强度很强的绕射峰出现,该绕射峰应为氧化镓(Ga2O3),晶向为(024),
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