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通过金银合金助催的碳热蒸发方式，在单晶Si衬底上生长了几种不同形貌的SnO2纳米结构。用SEM、XRD、Raman和PL等测试技术对其形貌、结构进行了表征。结果表明：PL光谱中观察到的359和450nm两个新峰是由存在于SnO2纳米结构中的发光中心如纳米晶体或氧空位等造成的。SnO2纳米结构的生长遵从VLS机制，与反应源的不同距离所产生的温度差是造成这些纳米结构具有不同形貌的主要原因。