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本研究以中铝山东有限公司Al 2(SO 4)3原料,通过与NH 4HCO 3沉淀反应,在pH=5.5~6.0、温度25℃条件下制得纳米级前驱体无定型前驱体,前驱体经1200℃焙烧制得粒径300 nm氧化铝。为CMP抛光用高端超细氧化铝粉体的制备提供可行的技术路线。
CMP抛光用纳米氧化铝制备工艺研究
【摘 要】
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本研究以中铝山东有限公司Al 2(SO 4)3原料,通过与NH 4HCO 3沉淀反应,在pH=5.5~6.0、温度25℃条件下制得纳米级前驱体无定型前驱体,前驱体经1200℃焙烧制得粒径300 nm氧化铝。为CMP抛光用高端超细氧化铝粉体的制备提供可行的技术路线。
【机 构】
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中铝山东有限公司,淄博海关
【出 处】
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陶瓷
【发表日期】
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2021年8期
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