【摘 要】
：
在He+离子1s态和2s态的叠加态作为初始态时,提出一种优化3束激光场来增大谐波截止能量和强度的方法.结果表明:在叠加初始态下,谐波强度要比基态初始态下增强3个数量级以上.随后,在3色场波形优化下,谐波截止能量又得到增大,进而获得一个高强度、高光子能量的谐波光谱连续区.通过叠加光谱连续区上最后100次的谐波可以获得一个27 as的孤立阿秒脉冲.
【机 构】
：
辽宁工业大学 理学院,锦州121001;辽宁工业大学 化学与环境工程学院,锦州121001;辽宁工业大学 理学院,锦州121001;辽宁工业大学 化学与环境工程学院,锦州121001
论文部分内容阅读
在He+离子1s态和2s态的叠加态作为初始态时,提出一种优化3束激光场来增大谐波截止能量和强度的方法.结果表明:在叠加初始态下,谐波强度要比基态初始态下增强3个数量级以上.随后,在3色场波形优化下,谐波截止能量又得到增大,进而获得一个高强度、高光子能量的谐波光谱连续区.通过叠加光谱连续区上最后100次的谐波可以获得一个27 as的孤立阿秒脉冲.
其他文献
近年来,第三代宽禁带半导体材料β-Ga2O3受到越来越多的关注,在材料制备、掺杂、刻蚀等方面都有广泛研究.射频磁控溅射是常用的β-Ga2O3薄膜制备方法之一,而磁控溅射法制膜往往需要进行退火处理以提高薄膜质量.本文研究溅射功率对射频磁控溅射在C面蓝宝石基底上制备得到的β-Ga2O3薄膜特性的影响.X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)表征结果表明,随着溅射功率的增大,半峰宽呈现先增大后减小再增大的趋势,晶粒尺寸变化与之相反.此外,通过积分球式分光光度计,研究了溅射功率对β-
采用基于密度泛函理论的第一性原理分析方法的CASTEP软件,计算了Ni、C单掺杂和共掺杂SnO2的晶格参数、能带结构、电子态密度和布局,结果表明:单掺杂和共掺杂均使得晶胞体积略微增大,禁带减小,且仍属于直接带隙半导体,在价带顶和导带底产生杂质能级,其中Ni-C共掺杂时禁带最小,杂质能级最多,电子跃迁需要的能量更小,导电性也就最好.共掺杂时费米能级附近的峰值有所减小,局域性降低,原子间的成键结合力更强,使得SnO2材料也更加稳定.
Cedrane sesquiterpenes possess common tricyclo[5.3.1.01,5]undecane core structure.The varied oxa-five-membered ring decorating their core structure to form 8-oxa-tetracyclo[7.2.2.01,5.06,13]tridecane framework,containing six consecutive chiral centers (in
The impact factor of Chinese Journal of Chemistry (CJC) for 2020 has reached 6.0 with a total citation of 5434,a decent im-provement as compared to those for the previous years (Figure 1).It ranks No.48 among 178 journals of multidisciplinary chemistry in
An efficient method for asymmetric synthesis of acyclic α-tertiary amine derivatives has been achieved through enantioselective aminations of α-branched ynones with azodicarboxylates enabled by chiral phosphoric acid catalysis.Moreover,kinetic resolution
采用基于密度泛函理论的第一性原理,研究了稀土La和Al在bcc-Fe中Fe晶界处的协同作用影响.计算了La和Al在晶界、表面、晶内的形成能,建立La、Al共存于晶界模型,通过电荷密度、布居分布手段分析了La、Al原子对晶界的影响.结果表明:La、Al原子易偏聚在晶界处,且La-Al的原子间距与体系结合能成正比关系.La的掺杂改善了晶界处的电荷分布情况,促进了Al原子与周围Fe原子间的相互作用,态密度曲线的计算结果显示,La原子的加入能够使La、Fe及Al原子间的键的结合力更强,从而提高了界面结合强度.
基于第一性原理的平面波超软赝势法对(6,0)单壁氮化硼纳米管、Cr掺杂、Ag掺杂、以及Cr-O共掺纳米管进行电子结构和光学性质的计算.结果表明:Cr掺杂和Cr-O共掺体系相比于本征体系的带隙值均减小,掺杂体系的导带底穿过费米能级从而实现了氮化硼纳米管的n型掺杂.Ag掺杂实现了纳米管的p型掺杂.本征氮化硼纳米管、Ag掺杂、Cr掺杂、以及Cr-O共掺纳米管的静态介电常数分别为1.17、1.61、1.32和1.48,相对于本征体系静介电性能有所提高.
发展准离散多尺度法结合紧束缚近似,解析地研究了局陷于光晶格势阱中凝聚体的非线性动力学性质.结果发现,系统中出现稳定的对称包络孤子外,还可观察到一种新的非线性元激发:扭结包络隙孤子.有趣的是,该隙孤子并不传播且局域在初始位置,其幅度可通过光晶格势阱的晶格常数和势阱深度来调控.相应的实验方案是:通过改变形成光晶格势阱的两交叉耦合激光束之间的夹角和(或)激光光强来调控扭结包络隙孤子的幅度.
液滴外延技术不仅适用于晶格失配,也适用于晶格匹配材料系统,且易于制备低维半导体结构,如低密度量子点、环等.本文研究了液滴外延法在GaAs表面进行不同Al、Ga组分的量子点生长.在实验中用反射式高能电子衍射仪(Reflection High Energy Electron Diffraction,RHEED)对样品进行原位监控.通过控制Al、Ga液滴的沉积速率来控制液滴同时沉积在衬底上形成的组分.研究发现,随着Al组分的增加,量子点逐渐变得密集,润湿角变低.在Al组分增高超过0.5之后,出现了大小不一的量子
基于密度泛函理论(DFT)第一性原理对LuPO4和YPO4两种磷酸盐晶体的电子结构进行计算模拟.结果表明:LuPO4的带隙为5.639 eV,YPO4的带隙为4.884 eV.通过对态密度的分析得知LuPO4的导带主要贡献来自Lu的5d态电子,费米能级附近价带主要由Lu的4f态和O的2p态电子贡献.YPO4的导带主要贡献来自Y的4d态电子,价带顶的主要贡献来自于O的2p态电子.通过电荷密度和布局分析得知了材料内部原子间的电荷转移情况,进而对原子间成键情况进行了分析与讨论.