Si／Si1—xGexHEMT异质结层的结构与二维电子气密度的关系

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【摘要】

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从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了设计一个n沟Si/Si1xGexHEMT异质结层的原理及方法,对K.Ismail器件进行了分析和计算,所得2DEG的ns与实验结果基本相符,并利用该设计理论对K.Is

【作者】

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【机构】

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西安电子科技大学技术物理学院

【出处】

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半导体情报

【发表日期】

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2001年2期

【关键词】

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从晶格匹配及能带阶跃角度讨论了设计一个n沟Si/Si1xGexHEMT异质结层的原理及方法,对K.Ismail器件进行了分析和计算,所得2DEG的ns与实验结果基本相符,并利用该设计理论对K.Ismail器件的异质结结构进行了优化改进,提高了器件2DEG的ns.

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