中子导管输运特性的数值计算方法

来源 :核技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lidids

【摘要】

：

采用自行编写的数值方法计算程序NCMP(Numeric Calculation Method Program)对中子导管的输运性能进行了计算,并分别与文献以及俄罗斯核物理研究所Pusenkov教授提供的计算结

【作者】

：

王燕李新喜黄朝强陈波

【机构】

：

中国工程物理研究院核物理与化学研究所,绵阳,621900

【出处】

：

核技术

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

数值方法模拟计算中子导管中子输运

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

采用自行编写的数值方法计算程序NCMP(Numeric Calculation Method Program)对中子导管的输运性能进行了计算,并分别与文献以及俄罗斯核物理研究所Pusenkov教授提供的计算结果进行了对比,符合得很好.结果表明该数值计算软件能够精确地计算中子导管的输运特性.

其他文献

Multifault diagnosis in WSN using a hybrid metaheuristic trained neural network

Wireless sensor networks are susceptible to failures of nodes and links due to various physical or computational reasons.Some physical reasons include a very hi

期刊

Wireless sensor networkFault diagnosisLink failuresNeural networksMeta-heuri

2×660MW超超临界机组厂用电率综合优化研究

作为火电厂重要考核指标之一,厂用电率的高低直接反映出电厂能源的转换效率,也在一定程度上决定着机组的盈利能力.本文以国家能源集团示范工程胜利发电厂2×660MW高效超超临

期刊

超超临界660MW厂用电率综合优化设计

上海光源产品管理系统及其全文检索子系统的改进

上海光源(SSRF)数据管理系统在运行中具有重要的地位.借助PDM(Product Data Management)项目的实施,完善上海光源信息化体系.介绍了上海光源产品管理系统的网络结构、模块配

期刊

上海光源(SSRF)产品数据管理((PDM)全文检索((Full-TextRetrieval)Lucene

GaN HEMT器件电子辐照效应研究

对GaN HEMT(High Electron Mobility Transistor)器件进行了0.8和1.2 MeV电子束的辐照效应研究。结果表明,0.8 MeV电子束对器件损伤甚于1.2 MeV电子束,饱和漏电流增大,阈值电

期刊

GaNHEMT电子非电离能损

中子导管输运特性的数值计算方法

其他学术论文