【摘 要】
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在电阻率为6～8Ω·cm的N型硅衬底上热生长1μm厚的SiO_2层,用LPCVD方法淀积0.5μm厚的多晶硅层,然后用束斑直径为40μm、功率为5W的Ar~+激光束对样品再结晶,激光扫描速率为5c
【机 构】
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复旦大学物理系,复旦大学物理系,中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室,中国科学院上海冶金研究所离子束开放实验室
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在电阻率为6～8Ω·cm的N型<100>硅衬底上热生长1μm厚的SiO_2层,用LPCVD方法淀积0.5μm厚的多晶硅层,然后用束斑直径为40μm、功率为5W的Ar~+激光束对样品再结晶,激光扫描速率为5cm/s,衬底温度为550℃。在上述条件下,SOI薄层发生了熔化并再结晶的过程。在这一过程中,由于SiO_2绝缘层的热膨胀系数比硅小很多,因此SOI薄
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