MEMS片上绝缘性能测试高阻标准件研制

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针对MEMS圆片测试系统中绝缘性能测试的准确测量问题,利用GaAs半导体材料硼离子注入后的高绝缘 特性,研究制作片上高值电阻标准件的方案,研制出一种基于GaAs衬底的由2个金属电极构成的1G赘片上高阻标 准件.组建能有效溯源至国家最高标准的定标装置,使用与标准件探针压点坐标匹配的探针卡作为测试夹具,考核出 年稳定性优于0.1豫的在片标准件.经试验表明:该标准件携带方便、性能稳定,对开展MEMS片上绝缘性能测试提供 有效的现场校准方案,有效解决其溯源问题.
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