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文章针对金属和介质两种电子二次倍增典型现象，运用功率损耗的解析表达式，分析两种饱和现象的不同饱和机制，由此说明在这两种情况下影响二次电子倍增的因素不同，抑制措施也不同。
电子二次倍增饱和现象和抑制措施
【摘 要】
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文章针对金属和介质两种电子二次倍增典型现象，运用功率损耗的解析表达式，分析两种饱和现象的不同饱和机制，由此说明在这两种情况下影响二次电子倍增的因素不同，抑制措施也不同。
【机 构】
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西安空间无线电技术研究所
【出 处】
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空间电子技术
【发表日期】
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2008年4期
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