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低温下低掺杂硅PN结正向压降反常特性及其分析
低温下低掺杂硅PN结正向压降反常特性及其分析
来源 :河北大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户:einstein_2
【摘 要】
:
本文报道了低掺杂硅PN结正向低温特性的测量结果。低温下,PN结正偏电压(V_F/出现异常现象,即正向偏压与温度T之间的关系是非单调的,随着温度降低,VF会出现一个极大值,接着出
【作 者】
:
翟冬青
郭宝增
【机 构】
:
河北大学电子与信息工程系,河北大学电子与信息工程系
【出 处】
:
河北大学学报:自然科学版
【发表日期】
:
1993年2期
【关键词】
:
低温
热载流子
硅
半导体
P-N结
Low temperature PN Junction Hot Carrier
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本文报道了低掺杂硅PN结正向低温特性的测量结果。低温下,PN结正偏电压(V_F/出现异常现象,即正向偏压与温度T之间的关系是非单调的,随着温度降低,VF会出现一个极大值,接着出现一个极小值,然后随温度下降VF很快增加。本文利用低温下器件中存在的热载流子效应对这种异常现象进行了解释。
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