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采用ＰＥＣＶＤ法生长的无定型硅和直拉晶体硅为衬底注入Ｅｒ＾３＋离子的掺饵硅，经快速退火珠在１５Ｋ至２９３Ｋ下均可获得波长为１．５４μｍ的很强的光致发光。研究了不同的氧含量、退火温度、测量温度和激发功率对掺饵光致发光强度的影响和规律，对其发光机理进行了初步的探讨。
掺饵硅光致发光的研究
【摘 要】
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采用ＰＥＣＶＤ法生长的无定型硅和直拉晶体硅为衬底注入Ｅｒ＾３＋离子的掺饵硅，经快速退火珠在１５Ｋ至２９３Ｋ下均可获得波长为１．５４μｍ的很强的光致发光。研究了不同的氧含量、退火温度、测量温度和激发功率对掺饵
【机 构】
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中国科学院半导体所
【出 处】
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真空科学与技术
【发表日期】
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1999年3期
【基金项目】
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国家自然科学基金
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