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基于第一性原理密度泛函理论，计算分析了Zn1-xHfxO（x=0，0．0312，0．0417，0．0625和0．1250）体系的晶格结构、电子结构，Mulliken电荷布居和光学性质。计算结果表明，随着Hf掺杂摩尔百分比的增大，晶体体积膨胀，费米能级进入导带，其附近的导带部分主要由杂质原子Hf的5d态贡献，Hf-O离子键成分作用凸显，故Hf的掺杂引入施主能级进而形成n型ZnO材料的可能性较大。且通过比较吸收谱、反射谱和折射谱，发现适量掺入Hf原子可使ZnO体系在高能区的透过率增加，能量损失谱出现红移。这些