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纽约消息: 在布鲁克林(Brooklyn)工业大学组织的光激射器周末座谈会上,掺镝氟化钙光激射器的内调制成了重要新闻。美国无线电公司(RCA)实验室的Z. J. 吉斯在通讯中报导说,只用很小的磁场就能获得100%的调幅。
1.3 μm InAs/GaAs量子点(QD)激光器基于自身优异的光电特性,有望成为下一代光通信系统所急需的高性能、低成本光源。理论分析了提高量子点材料增益的几种方法,然后利用分子束外延(MBE)分别生长非掺杂、p型调制掺杂的8层高质量的量子点激光器外延结构,并分别制备了量子点激光器。另外,为了抑制量子点激发态与基态的激射竞争,设计并优化了激光器腔面的镀膜工艺。最终实现了300 μm超短腔长基态激射的p型调制掺杂1.3 μm InAs/GaAs的量子点激光器,展示出了其在高速光通信系统应用中的巨大潜