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使用转移矩阵方法设计了InP薄膜正方网格结构二维光子晶体的带隙结构.计算结果表明:由单胞参数为250nm,填充比为0.45组成的正方网格结构,在可见光和近红外波段有两个不完全带隙存在,透射率接近于零.
InP薄膜网格结构二维光子晶体
【摘 要】
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使用转移矩阵方法设计了InP薄膜正方网格结构二维光子晶体的带隙结构.计算结果表明:由单胞参数为250nm,填充比为0.45组成的正方网格结构,在可见光和近红外波段有两个不完全带
【机 构】
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太原理工大学材料科学与工程学院
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2007年z1期
【基金项目】
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国家重点基础研究发展规划(批准号:2004CB217808).国家自然科学基金重大研究计划(批准号:90306014).国家自然科学基金(批准号:20671068)和山西省自然科学基金(批准号:2006011053)资助项目
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