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设计并制备了110V Ga N基交流高压LED芯片,阐述了其制作的关键工艺,并通过I-U-L曲线,近场光型等手段进行表征,该芯片具有良好的光电性能,通过两并两串方式封装在陶瓷支架并匹配相应的限流电阻组装成灯具,对比测试了灯具初态和稳态下的光电参数。
GaN基交流高压大功率LED芯片及其灯具的研制
【摘 要】
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设计并制备了110V Ga N基交流高压LED芯片,阐述了其制作的关键工艺,并通过I-U-L曲线,近场光型等手段进行表征,该芯片具有良好的光电性能,通过两并两串方式封装在陶瓷支架并匹
【机 构】
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湘能华磊光电股份有限公司
【出 处】
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照明工程学报
【发表日期】
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2017年1期
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