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压接型IGBT器件封装内部多物理场耦合问题研究概述网络首发

来源 :中国电机工程学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：healtw

【作 者】

：

张一鸣 邓二平 赵志斌 崔翔 唐新灵 任斌 傅实 李金元 

【出 处】

：

中国电机工程学报

【发表日期】

：

2019年11期

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