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不久前，ROHM面向需要大功率（高电压×大电流）的通信基站和工业设备领域，开发出耐压高达80V、电流最大3A的MOSFET内置型DC/DC转换器——BD9G341AEFJ。
ROHM公司LSI商品开发本部工业设备战略部部长上林忠史称：在工业领域，48V电源用量很多，例如通信基站主流是48V，特点是可保持长距离供电情况下，电压下降不是很大；在紧急供电应用中，48V也是种很好的选择。此次发布的新产品是旗舰产品，今后希望继续扩展该产品家族。
耐压80V的DC/DC产品，不仅在于提升各单元的电压承受能力，同时需要在模拟电路设计上做出更多的探讨。首先由于需要更宽的工作范围，在电路设计和结构上需要一些特别的处理.而且芯片里会集成若干二极管、电阻和电容.耐压提高后带来了寄生电容特性变化，因此模拟电路设计时要充分考虑到。再有，电压提高后，抗静电方面也需要考虑，即在电路设计方面需要考虑可靠性。
“制造高耐压DC/DC产品，最重要是工艺。”ROHM半导体（上海）有限公司设计中心应用技术二部的高级经理周劲指出。此款产品采用了BiCDMOS工艺，把BiPolar（双极型，掌管模拟电路）、CMOS（特点低耐压，掌管MCU等的逻辑电路）、DMOS（掌管高耐压、大电流的功率输出部分）结合在一个LSI（大规模集成电路）制程中。20年前ROHM就推出了3.0微米，2003年实现了0.6微米工艺，现在已达到0.13微米工艺。但此次新产品只采用0.6微米、300mm晶圆工艺设计。原因是特征尺寸更小的工艺适合电脑等逻辑控制复杂、耐压较低的产品。而0.6微米不仅耐压较高，而且工艺较成熟，例如在消费类电子上已推出了1600种产品，在车载上也有应用，因此不用担心工艺可靠性的问题。
此次新产品的另一个亮点是采用了二次外延工艺（如图1），以适合高耐压。因为耐压提高后.也需要更好的绝缘效果，通常的做法是把外延拉长，一般来说纵向与横向都会拉大，横向加大后会致使芯片尺寸增加。而二次外延工艺使纵向尺寸加大的同时，横向没有变化。因此，同样管芯（die）情况下，ROHM的芯片尺寸会比竞争对手的尺寸小。
最后，ROHM的特色是一条龙生产，即从晶圆生产到掩膜、组装全部由ROHM掌控，保证供货稳定，不会因为末端代工晶圆厂的生产排期而影响供货。另外可以保证长时间的生产供货，确保10年或更长时间的持续稳定供货。再有，开发设计、晶圆生产等整个流程在公司内部控制中，可保证产品高品质，设计和工艺可以完全匹配。
ROHM公司LSI商品开发本部工业设备战略部部长上林忠史称：在工业领域，48V电源用量很多，例如通信基站主流是48V，特点是可保持长距离供电情况下，电压下降不是很大；在紧急供电应用中，48V也是种很好的选择。此次发布的新产品是旗舰产品，今后希望继续扩展该产品家族。
耐压80V的DC/DC产品，不仅在于提升各单元的电压承受能力，同时需要在模拟电路设计上做出更多的探讨。首先由于需要更宽的工作范围，在电路设计和结构上需要一些特别的处理.而且芯片里会集成若干二极管、电阻和电容.耐压提高后带来了寄生电容特性变化，因此模拟电路设计时要充分考虑到。再有，电压提高后，抗静电方面也需要考虑，即在电路设计方面需要考虑可靠性。
“制造高耐压DC/DC产品，最重要是工艺。”ROHM半导体（上海）有限公司设计中心应用技术二部的高级经理周劲指出。此款产品采用了BiCDMOS工艺，把BiPolar（双极型，掌管模拟电路）、CMOS（特点低耐压，掌管MCU等的逻辑电路）、DMOS（掌管高耐压、大电流的功率输出部分）结合在一个LSI（大规模集成电路）制程中。20年前ROHM就推出了3.0微米，2003年实现了0.6微米工艺，现在已达到0.13微米工艺。但此次新产品只采用0.6微米、300mm晶圆工艺设计。原因是特征尺寸更小的工艺适合电脑等逻辑控制复杂、耐压较低的产品。而0.6微米不仅耐压较高，而且工艺较成熟，例如在消费类电子上已推出了1600种产品，在车载上也有应用，因此不用担心工艺可靠性的问题。
此次新产品的另一个亮点是采用了二次外延工艺（如图1），以适合高耐压。因为耐压提高后.也需要更好的绝缘效果，通常的做法是把外延拉长，一般来说纵向与横向都会拉大，横向加大后会致使芯片尺寸增加。而二次外延工艺使纵向尺寸加大的同时，横向没有变化。因此，同样管芯（die）情况下，ROHM的芯片尺寸会比竞争对手的尺寸小。
最后，ROHM的特色是一条龙生产，即从晶圆生产到掩膜、组装全部由ROHM掌控，保证供货稳定，不会因为末端代工晶圆厂的生产排期而影响供货。另外可以保证长时间的生产供货，确保10年或更长时间的持续稳定供货。再有，开发设计、晶圆生产等整个流程在公司内部控制中，可保证产品高品质，设计和工艺可以完全匹配。