【摘 要】
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基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于超高频（UHF）射频识别（RFID）系统零中频接收机的混频器。在对传统吉尔伯特混频器的噪声指标进行深刻分析的基础上,采用动态电流注入技
【机 构】
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南京工程学院信息化建设与管理办公室,南京邮电大学功率与射频微电子研究中心
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基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于超高频（UHF）射频识别（RFID）系统零中频接收机的混频器。在对传统吉尔伯特混频器的噪声指标进行深刻分析的基础上,采用动态电流注入技术,设计出了一种低噪声、高线性度的混频器。动态注入电路有选择地向跨导级注入适当电流,大大抑制了开关管中的闪烁噪声,从而提高了混频器的整体噪声性能,同时又不影响混频器的线性度。在1.8 V电源电压下,仿真显示,该混频器取得11.3dB的噪声系数、-5.58 dBm的输入1 dB压缩点、26.04 dB的转换增益。芯片仅
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