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3D芯片通过垂直集成提高了芯片的集成度,成为当前半导体产业发展最快的技术之一,被认为是一种延续摩尔定律增长趋势的新方法。硅通孔（TSV）设计是3D芯片设计的关键技术,其可靠性是影响3D芯片良率的主要因素。针对3D芯片的TSV结构进行研究,为多个垂直堆叠裸晶设计密度为导向的TSV布局结构,为后续TSV容错设计提供基础。