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集成铁电电容的制备是铁电存储器的关键工艺之一。该文采用射频（RF）磁控溅射法在Pt／Ti／SiO2／Si制备Pb（Zr，Ti）O3（PZT）薄膜，上下电极Pt采用剥离技术工艺制备，刻蚀PZT薄膜，形成Pt／PZT／Pt／Ti／SiO2／Si集成电容结构，最后高温快速退火。结果表明，这种工艺条件可制备性能良好的铁电电容，符合铁电存储器对铁电电容的要求。