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通过在不同条件下退火，研究氮杂质对重掺锑硅(HSb-Si)中氧沉淀的影响．实验结果表明，在高温单步退火(1000～1150℃)和低高两步退火(650℃+1050℃)后，掺氮hSb-Si中与氧沉淀相关的体微缺陷的密度都要远远高于一般的HSb-Si．这说明在HSb-Si中，氮能分别在高温和低温下促进氧沉淀的生成．因此，可以认为与轻掺直拉硅一样，在HSb-Si中，氮氧复合体同样能够生成，因而促进了氧沉淀的形核．实验结果还表明氮的掺人不影响HSb硅中氧沉淀的延迟行为．