E系列：MOSFET

来源 :世界电子元器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jukai9751

【摘要】

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Vishay Intertechnology推出600V和650Vn沟道功率MOSFETE系列器件。产品在10V下具有64Ωm-190mΩ．的超低最大导通电阻，以及22A-47A的额定电流范围。E系列MOSFET基于Vishay的下

【出处】

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世界电子元器件

【发表日期】

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2011年11期

【关键词】

：

MOSFET 导通电阻栅极电荷 N沟道功率 Super 额定电流功率转换乘积

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Vishay Intertechnology推出600V和650Vn沟道功率MOSFETE系列器件。产品在10V下具有64Ωm-190mΩ．的超低最大导通电阻，以及22A-47A的额定电流范围。E系列MOSFET基于Vishay的下一代Super Junction技术，具有超低栅极电荷，以及较低栅极电荷与导通电阻乘积，该乘积是衡量用在功率转换应用中

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