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在CG6000型单晶炉上，开展了硼掺杂浓度8×10^19cm^-3以上的150mm（6英寸）硅单晶生长试验。通过对热场和生长工艺进行优化，抑制了重掺硼硅单晶拉制过程中的严重组分过冷，成功拉制出了电阻率1．5×10^-3Ω·cm以下的无位错重掺硼硅单晶，并对单晶拉制过程中的一些工艺参数设定进行了分析和探讨，提高了该类硅单晶生长的效率和成品率。