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本文叙述了合理选择RLC回路的参数,能够产生测试所需要的半波正弦脉冲电流,并分析了回路参数RLC对振荡状态的影响。着重介绍了借助微机实现可控硅正向通态饱和压降的测量原理、方框图和方法。
可控硅通态饱和压降测量方法的论证
【摘 要】
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本文叙述了合理选择RLC回路的参数,能够产生测试所需要的半波正弦脉冲电流,并分析了回路参数RLC对振荡状态的影响。着重介绍了借助微机实现可控硅正向通态饱和压降的测量原理
【机 构】
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上海第二工业大学
【出 处】
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电测与仪表
【发表日期】
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1990年6期
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