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利用纳米压入仪对Si片上的多晶Cu膜进行压入蠕变研究.实验结果显示晶粒尺寸大于200 nm时,应力指数对晶粒尺寸不敏感.当晶粒尺寸小于200 nm时,因压头底部更多的晶粒参与变形,应力指数随晶粒尺寸的降低而增大.认为薄膜材料存在一个对应力指数不敏感的最小临界晶粒尺寸lc.Cu膜的应力指数随保载载荷增大而增大,其主要原因在于高载荷下位错强化机制使蠕变率降低.