Si掺杂对GaAs纳米线发光特性的影响

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：slovedw520

【摘要】

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采用分子束外延技术(MBE)在Si(111)衬底上生长了非掺杂和Si掺杂砷化镓(GaAs)纳米线(NWs).通过扫描电子显微镜(SEM)证实了生长样品的一维性;通过X射线衍射(XRD)测试和拉曼光谱

【作者】

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李想亢玉彬唐吉龙方铉房丹李科学王登魁林逢源楚学影魏志鹏

【机构】

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长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林长春 130022;长春理工大学理学院, 吉林长春 130022

【出处】

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发光学报

【发表日期】

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2021年5期

【关键词】

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光谱学 GaAs纳米线 Si掺杂光致发光分子束外延

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采用分子束外延技术(MBE)在Si(111)衬底上生长了非掺杂和Si掺杂砷化镓(GaAs)纳米线(NWs).通过扫描电子显微镜(SEM)证实了生长样品的一维性;通过X射线衍射(XRD)测试和拉曼光谱(Raman)证实了掺杂GaAs纳米线中Si的存在;通过光致发光(PL)研究了非掺杂和Si掺杂GaAs纳米线的发光来源,掺杂改变了GaAs纳米线的辐射复合机制.掺杂导致非掺杂纳米线中自由激子发光峰和纤锌矿/闪锌矿(WZ/ZB)混相结构引起的缺陷发光峰消失.

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