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本文用非平衡Green函数方法和模式表象技术对弹道MOSFET中的栅隧穿电流进行了研究.为了简化计算,我们把栅分解成一系列的小栅并用相应的自能项来概括它们.计算结果表明栅电势和栅绝缘层厚度是起主导作用的因素.尽管沟道区态密度的复杂变化和硅层的厚度对栅隧穿电流也有影响,但并不显著.
弹道MOSFET中栅隧穿电流的自洽计算
【摘 要】
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本文用非平衡Green函数方法和模式表象技术对弹道MOSFET中的栅隧穿电流进行了研究.为了简化计算,我们把栅分解成一系列的小栅并用相应的自能项来概括它们.计算结果表明栅电势
【机 构】
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上海交通大学微纳米科学技术研究院
【出 处】
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电子学报
【发表日期】
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2005年2期
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